| Название: | Color centers in heavily irradiated CsI(Tl) crystals |
| Коллекция: | Статьи |
| Авторы: |
Мелешко А., Трефилова Л.Н., Яковлев В. |
| Ключевые слова: |
кристали CsI:Tl, люминесценция, поглинання, спектроскопія, схема електронних переходів, УФ-світло |
| Издатель: | Journal of Luminescence |
| Год публикации: | 2008 |
| УДК: | 535.337 |
| Вид документа: | статья |
| Язык документа: | английский |
| Добавлен в архив: | 20.10.2016 |
| Сводная информация по документу: | Trefilova L.N. Color centers in heavily irradiated CsI(Tl) crystals /
V. Yakovlev,, A. Meleshko, L. Trefilova // Journal of Luminescence. - № 128, - 2008. -р. 1447–1453 |
| Короткая ссылка на файл: | http://repositsc.net/?p=3608 |
| Постоянная ссылка | http://repositsc.net/color-centers-in-heavily-irradiated-csi-tl-crystals/ |
| Ссылка на файл: | |
| | Color centers in heavily irradiated CsI(Tl) crystals
|
| Аннотация (русс.): | Методом спектроскопии с временным разрешением изучены свойства поглощения и люминесценции кристаллов CsI (Tl) окрашенных облучением. Предложенна схема электронных переходов в CsI (Tl) кристалла для объяснения появления центров окраски при воздействии ближнего УФ-излучения. |
| Аннотация (укр.): | Методом спектроскопії з часовим розділенням вивчені властивості поглинання і люмінесценції кристалів CsI (Tl) забарвлених опроміненням. Запропонована схема електронних переходів в CsI (Tl) кристала для пояснення появи центрів забарвлення при впливі ближнього УФ-світла. |
| Аннотация (англ.): | The absorption and luminescence properties of CsI(Tl) crystals colored by irradiation are studied by the method of the time-resolved spectroscopy. The scheme of the electron transitions in CsI(Tl) crystal is suggested to explain the appearance of the color centers under exposure to the near-UV light. It is established that either of the two types activator color centers holds the charge carrier with opposite sign. The model of the hole Tl2+vc activator color center is suggested. According to the model the positive charge of Tl2+ ion is compensated by the negative charge of a close cation vacancy vc. The color center emission reveals in the cathode-luminescence spectrum of the colored CsI(Tl) crystal. The high-dose irradiation of CsI(Tl) crystal results in the reduction of the decay time of the near-thallium self-trapped excitons (STE) emission. The decay kinetics of Tl2+vc emission contains the time components typical for the decay kinetics of near-thallium STE emission. The reason of the observed effects is the energy transfer from the near-thallium STE excitons to the color centers via the inductive-resonant mechanism. |