Просмотр информации о документе
| Название: | Luminescence response of CsI:Na to electron pulse irradiation |
| Коллекция: | Статьи |
| Авторы: | |
| Ключевые слова: | імпульсний електронний пучок, активатор, випромінювання, екситон, концентрация, кристали CsI:Na, синглетний стан, температура |
| Издатель: | Radiation Measurements |
| Год публикации: | 2013 |
| УДК: | 535.337 |
| Вид документа: | статья |
| Язык документа: | английский |
| Добавлен в архив: | 21.10.2016 |
| Сводная информация по документу: | Luminescence response of CsI:Na to electron pulse irradiation / V. Yakovlev, L. Trefilova, A. Karnaukhova, Yu. Ganja // Radiation Measurementsю - № 51-52, - 2013. - р. 13-17 |
| Короткая ссылка на файл: | http://repositsc.net/?p=3626 |
| Постоянная ссылка | http://repositsc.net/luminescence-response-of-csi-na-to-electron-pulse-irradiation/ |
| Ссылка на файл: | |
Luminescence response of CsI:Na to electron pulse irradiation | |
| Аннотация (русс.): | В работе исследуются воздействие концентрации активатора и температуры на сцинтилляционный процесс в кристалле CsI:Na, возбужденній импульсным электронным пучком (Eex ¼ 0,25 МэВ, T1 / 2 ¼ 15 нс, W ¼ 0.003.0.16 Дж / см2) при температуре в пределах 77-300 К. Установлено, что переход Na-связанного двойного экситона галогенида с синглетного состояния вызывает 3 эВ излучение CsI:Na. |
| Аннотация (укр.): | В роботі досліджуються вплив концентрації активатора і температури на сцинтиляційний процес у кристалі CsI:Na, який збуджено імпульсним електронним пучком (Eex ¼ 0,25 МеВ, T1 / 2 ¼ 15 нс, W ¼ 0.003.0.16 Дж / см2) за температури в межах 77-300 К. Встановлено, що перехід Na-пов'язаного подвійного екситона галогеніду з синглетного стану викликає 3 еВ випромінювання CsI:Na. |
| Аннотация (англ.): | This paper investigates the influence of activator concentration and temperature on the scintillation process in CsI:Na crystal which was excited by a pulsed electron beam (Eex ¼ 0.25 MeV, t1/2 ¼ 15 ns, W ¼ 0.003.0.16 J/cm2 ) at temperature within 77e300 K. It has been established that the transition of Na-bound two halide exciton from singlet state causes 3 eV emission of CsI:Na. The capturing of Vk by Naþ ion determines the scintillation pulse shape. Thermal liberation of Vk from VkA centers results in an inertial rise of the emission pulse in lightly activated CsI:Na and in a mono-exponential decay of the emission pulse in heavily activated CsI:Na. The value of thermal dissociation energy of VkA centers is 0.24 0.01 eV, which was obtained from the temperature dependences of the emission decay time constant for CsI:2.8∙103%Na and of the rise time constant for CsI:2.0∙104%Na. |