Radiation defects creation in CsI(Tl) crystals and their luminescence properties

Кудин А.М.; Трефилова Л.Н.; Чаркина Т.А.

Просмотр информации о документе

Название:	Radiation defects creation in CsI(Tl) crystals and their luminescence properties
Коллекция:	Статьи
Авторы:	Кудин А.М., Трефилова Л.Н., Чаркина Т.А.
Ключевые слова:	дефекти випромінювання, колірний центр, кристали CsI
Издатель:	Journal of Luminescence
Год публикации:	2003
УДК:	535.337
Вид документа:	статья
Язык документа:	английский
Добавлен в архив:	20.10.2016
Сводная информация по документу:	Treﬁlova L.N. Radiation defects creation in CsI(Tl) crystals and their / L.N. Treﬁlova, T. Charkina, A. Kudin at al. // Journal of Luminescence. - № 102–103, 2003. р. - 543–550. luminescence properties
Короткая ссылка на файл:	http://repositsc.net/?p=3594
Постоянная ссылка	http://repositsc.net/radiation-defects-creation-in-csi-tl-crystals-and-their-luminescence-properties/
Ссылка на файл:
	Radiation defects creation in CsI(Tl) crystals and their luminescence properties
Аннотация (русс.):	Изучены процессы создания дефектов излучения в кристаллах CsI (Tl). Рассмотрена модель цветового центра, в соответствии с которой можно рассмотреть анионную вакансию.
Аннотация (укр.):	Вивчені процеси створення дефектів випромінювання в кристалах CsI (Tl). Розглянуто модель колірного центру, відповідно до якої можна розглянути аніонну вакансію.
Аннотация (англ.):	Radiation defect creation processes in CsI(Tl) crystals have been studied. The model of color center, according to which Tl0 is close to anionic vacancy, is considered. The absorption spectrum of Tl0Va +-center is a superposition of bands responsible for both transitions between the near activator exciton states and for those between the valent electron states in thallium atom perturbed by the anionic vacancy. Another center Tl+Va + may appear as a result of the Tl0Va + photoionization. Absorption bands at 3.44, 3.8, 2.64 eV of the electron trapping Tl+Va + in the center have exciton origin. Tl+Va + is also a luminescence center. The excitation in the absorption bands of this center luminescence is conditioned by the luminescence of the near activator excitons.