Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation | Архив НУЦЗУ


Просмотр информации о документе


Название:Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation
Коллекция:Статьи
Авторы: Косинов Н., Мелешко А., Трефилова Л.Н., Яковлев В.
Ключевые слова: ,
Издатель:Radiation Measurements
Год публикации:2010
УДК:535.337
Вид документа:статья
Язык документа:английский
Добавлен в архив:20.10.2016
Сводная информация по документу:Trefilova L.N. Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation / L. Trefilova, V. Yakovlev, A. Meleshko, N. Kosinov // Radiation Measurements. - № 45, - 2010. - р. 328–330.
Короткая ссылка на файл: http://repositsc.net/?p=3610
Постоянная ссылка http://repositsc.net/3610-2/
Ссылка на файл:

Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation

Аннотация (русс.):Исследована кинетика люминесценции CsI (Tl) под действием электронноимпульсного облучения (Ee ¼ 250 кэВ, T1 / 2 ¼ 10 нс, J ¼ 2 O 160 мДж/см2).
Аннотация (укр.):Досліджено кінетику люмінесценції CsI (Tl) під дією електронноімпульсного опромінення (Ee ¼ 250 кеВ, T1 / 2 ¼ 10 нс, J ¼ 2 O 160 мДж / см2).
Аннотация (англ.):The luminescence kinetics of CsI(Tl) exposed to an electron pulse irradiation (Ee ¼ 250 keV, t1/2 ¼ 10 ns, j ¼ 2 O 160 mJ/cm2) has been studied. It has been discovered that the slow emission rise is due to hole Vk–Tl0 recombination luminescence at temperature from 100 to 160 K and electron–VkA recombination, where electrons released from single Tl0 at temperature from 180 to 300 K. The effect of Tl concentration on both processes has been investigated.



 

 



© 2015 — 2018 Центр информационных технологий НУЦЗУ