Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation

Косинов Н.; Мелешко А.; Трефилова Л.Н.; Яковлев В.

Просмотр информации о документе

Название:	Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation
Коллекция:	Статьи
Авторы:	Косинов Н., Мелешко А., Трефилова Л.Н., Яковлев В.
Ключевые слова:	електронноімпульсне опромінення, люминесценция
Издатель:	Radiation Measurements
Год публикации:	2010
УДК:	535.337
Вид документа:	статья
Язык документа:	английский
Добавлен в архив:	20.10.2016
Сводная информация по документу:	Treﬁlova L.N. Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation / L. Treﬁlova, V. Yakovlev, A. Meleshko, N. Kosinov // Radiation Measurements. - № 45, - 2010. - р. 328–330.
Короткая ссылка на файл:	http://repositsc.net/?p=3610
Постоянная ссылка	http://repositsc.net/3610-2/
Ссылка на файл:
	Recombination luminescence of CsI(Tl) under electron pulse irradiation
Аннотация (русс.):	Исследована кинетика люминесценции CsI (Tl) под действием электронноимпульсного облучения (Ee ¼ 250 кэВ, T1 / 2 ¼ 10 нс, J ¼ 2 O 160 мДж/см2).
Аннотация (укр.):	Досліджено кінетику люмінесценції CsI (Tl) під дією електронноімпульсного опромінення (Ee ¼ 250 кеВ, T1 / 2 ¼ 10 нс, J ¼ 2 O 160 мДж / см2).
Аннотация (англ.):	The luminescence kinetics of CsI(Tl) exposed to an electron pulse irradiation (Ee ¼ 250 keV, t1/2 ¼ 10 ns, j ¼ 2 O 160 mJ/cm2) has been studied. It has been discovered that the slow emission rise is due to hole Vk–Tl0 recombination luminescence at temperature from 100 to 160 K and electron–VkA recombination, where electrons released from single Tl0 at temperature from 180 to 300 K. The effect of Tl concentration on both processes has been investigated.